 |  |
| |
Прикладные науки  Технология | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Похожие работы:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение Высшего профессионального образования Тульский государственный университет Кафедра «Радиоэлектроники» Контрольно - курсовая работа по дисциплине «Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств» Выполнил: ст.гр. 161371с Чижов Д. В. Проверил: Гублин. Тула 2012 Рисунок 1. Схема электрическая принципиальная. Таблица 1. Перечень элементов. Элемент Номинал Точность R1 56 КОм ± 15% R2 10 КОм ± 15% R3 0,082 КОм ± 15% R4 300 КОм ± 15% R5 0,047 КОм ± 15% R6 1 КОм ± 15% В схеме используются резисторы номиналом от 500 Ом до 20 КОм их с лёгкостью можно реализовать в виде резистора полоскового типа. Биполярный транзистор типа п-р-п является основным схемным элементом полупроводниковой ИМС. Остальные элементы ИМС выбирают и конструируют таким образом, чтобы они совмещались со структурой транзистора типа п-р-п на основе какой-либо из его областей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора типа п-р-п определяет основные электрические параметры остальных элементов микросхемы. В виду того, что масочный метод самый освоенный метод на настоящий момент, при этом методе мы сможем обеспечить высокую производительность. В качестве основного материала (подожки) микросхемы будет использоваться Кремний (Si). В качестве диэлектрика для формирования топологического рисунка микросхемы будет использоваться моноокись кремния (SiC^). Для изготовления проводящих слоев: соединительных дорожек, контактных площадок решено использовать алюминий А99 Контакты соединительные провода будут соединятся с контактными площадками из алюминия при помощи сварки импульсным косвенным нагревом. Ввиду того, что сопротивление резисторов схемы имеет большой разброс, то формирование всех резисторов в одной области не представляется возможным. Поэтому резисторы будут располагаться в двух областях сформированных Эпитаксиальным и Диффузионным в эмиторной области способами. мВт
Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: Определяем ширину резистивной полоски по формулам: =0,378 мкм. = 2,9 мкм Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле: мкм мВт
Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: Определяем ширину резистивной полоски по формулам: = 0,6 мкм Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле: мкм мВт
Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора:
Определяем ширину резистивной полоски по формулам: = 0,104 мкм Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле: мкм мВт
Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: Определяем ширину резистивной полоски по формулам: = 15,1 мкм Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле: мкм мВт
Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: Определяем ширину резистивной полоски по формулам: = 0,102 мкм Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле: мкм мВт
Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: Определяем ширину резистивной полоски по формулам: = 0,15мкм Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле: мкм Таблица 2 Расчетные данные резисторов типа № Кф b мкм l мкм ? Ом R Ом 1 28 2,5 68,5 2*103 56000 2 5 2,5 11 2*103 10000 3 0,041 2,5 0,398 2*103 82 4 150 2,5 373,5 2*103 300000 5 0,024 2,5 0,441 2*103 47 6 0,5 2,5 0,75 2*103 1000 Разработка топологии. Для схемы Рисунок 1 (стр. 4) в качестве транзисторов VT1, VT2 выбраны из банка транзисторов одноэмиттерные однобазовые транзисторы с плоской контактной областью к коллектору. На основе структуры транзисторов были сформированы остальные элементы схемы. Так как резисторы имеют разброс в сопротивлении, то они были сформированы в разных структурных областях: Rl, R2,R5 в коллекторной области; R3, R4 и R6 диффузионным путём в эмиттерной области. Выбор корпуса. Выбор корпуса основан как на условиях эксплуатации изделия, так на экономичности изделия. Наиболее дешевой и доступной является конструкция пластмассового корпуса. Низкая стоимость пластмассового корпуса определяется: дешевизной применяемого материала и технологии изготовления корпуса, в которой операции формирования монолитного корпуса и герметизации ИМС совмещены. Возможно осуществление групповой технологии герметизации, например литьевого прессования с помощью многоместных прессформ или методом заливки эпоксидным компаундом в многоместные литьевые формы. В виду всего этого было решено использовать пластмассовый корпус 2102(201.8-1). Распайка выводов микросхемы с контактными площадками платы производится путём точечной микросварки. Интернет-ресурсы: http://эссе.рф - сборник не проиндексированных рефератов. Поиск по рубрикам и теме. Большинство текстов бесплатные. Магазин готовых работ. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| © 2010–2021 Эссе.рф: Библиотека учебных материалов |
