">
Прикладные науки Технология
Информация о работе

Тема: Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств

Описание: Распайка выводов микросхемы с контактными площадками платы производится путём точечной микросварки. Возможно осуществление групповой технологии герметизации. Конструкция пластмассового корпуса. Разработка топологии. Выбор корпуса.
Предмет: Прикладные науки.
Дисциплина: Технология.
Тип: Курсовая работа
Дата: 14.08.2012 г.
Язык: Русский
Скачиваний: 5
Поднять уникальность

Похожие работы:

Федеральное агентство по образованию

Государственное образовательное учреждение

Высшего профессионального образования

Тульский государственный университет

Кафедра «Радиоэлектроники»

Контрольно - курсовая работа

по дисциплине

«Информационные технологии проектирования радиоэлектронных средств»

Выполнил: ст.гр. 161371с

Чижов Д. В.

Проверил: Гублин.

Тула 2012

Рисунок 1. Схема электрическая принципиальная.



Таблица 1. Перечень элементов. Элемент Номинал Точность  R1 56 КОм ± 15%  R2 10 КОм ± 15%  R3 0,082 КОм ± 15%  R4 300 КОм ± 15%  R5 0,047 КОм ± 15%  R6 1 КОм ± 15%  

В схеме используются резисторы номиналом от 500 Ом до 20 КОм их с лёгкостью можно реализовать в виде резистора полоскового типа.

Биполярный транзистор типа п-р-п является основным схемным элементом полупроводниковой ИМС. Остальные элементы ИМС выбирают и конструируют таким образом, чтобы они совмещались со структурой транзистора типа п-р-п на основе какой-либо из его областей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора типа п-р-п определяет основные электрические параметры остальных элементов микросхемы.

В виду того, что масочный метод самый освоенный метод на настоящий момент, при этом методе мы сможем обеспечить высокую производительность.

В качестве основного материала (подожки) микросхемы будет использоваться Кремний (Si).

В качестве диэлектрика для формирования топологического рисунка микросхемы будет использоваться моноокись кремния (SiC^).

Для изготовления проводящих слоев: соединительных дорожек, контактных площадок решено использовать алюминий А99 Контакты соединительные провода будут соединятся с контактными площадками из алюминия при помощи сварки импульсным косвенным нагревом.

Ввиду того, что сопротивление резисторов схемы имеет большой разброс, то формирование всех резисторов в одной области не представляется возможным. Поэтому резисторы будут располагаться в двух областях сформированных Эпитаксиальным и Диффузионным в эмиторной области способами.





мВт









Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: 



Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: 



Определяем ширину резистивной полоски по формулам:



 =0,378 мкм.

 = 2,9 мкм

Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем 

Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле:



















 мкм





мВт









Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: 



Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: 



Определяем ширину резистивной полоски по формулам:





 = 0,6 мкм

Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем 

Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле:



















 мкм





мВт









Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: 



Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора:





Определяем ширину резистивной полоски по формулам:





 = 0,104 мкм



Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле:



















 мкм





мВт









Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: 



Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: 



Определяем ширину резистивной полоски по формулам:





 = 15,1 мкм

Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем 

Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле:



















 мкм





мВт









Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: 



Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: 



Определяем ширину резистивной полоски по формулам:





 = 0,102 мкм

Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем 

Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле:



















 мкм





мВт









Вычисляем коэффициент формы резистора по формуле: 



Вычисляем абсолютную погрешность коэффициента формы резистора: 



Определяем ширину резистивной полоски по формулам:





 = 0,15мкм

Учитывая формирования резистора Диффузионно-эмиттерным способом, выбираем 

Вычисляем расстояние между контактными переходами по формуле:



















 мкм

Таблица 2 Расчетные данные резисторов типа № Кф b мкм l мкм ? Ом R Ом  1 28 2,5 68,5 2*103 56000  2 5 2,5 11 2*103 10000  3 0,041 2,5 0,398 2*103 82  4 150 2,5 373,5 2*103 300000  5 0,024 2,5 0,441 2*103 47  6 0,5 2,5 0,75 2*103 1000  

Разработка топологии.

Для схемы Рисунок 1 (стр. 4) в качестве транзисторов VT1, VT2 выбраны из банка транзисторов одноэмиттерные однобазовые транзисторы с плоской контактной областью к коллектору. На основе структуры транзисторов были сформированы остальные элементы схемы.

Так как резисторы имеют разброс в сопротивлении, то они были сформированы в разных структурных областях: Rl, R2,R5 в коллекторной области; R3, R4 и R6 диффузионным путём в эмиттерной области.

Выбор корпуса.

Выбор корпуса основан как на условиях эксплуатации изделия, так на экономичности изделия. Наиболее дешевой и доступной является конструкция пластмассового корпуса. Низкая стоимость пластмассового корпуса определяется: дешевизной применяемого материала и технологии изготовления корпуса, в которой операции формирования монолитного корпуса и герметизации ИМС совмещены. Возможно осуществление групповой технологии герметизации, например литьевого прессования с помощью многоместных прессформ или методом заливки эпоксидным компаундом в многоместные литьевые формы. В виду всего этого было решено использовать пластмассовый корпус 2102(201.8-1). Распайка выводов микросхемы с контактными площадками платы производится путём точечной микросварки.

Интернет-ресурсы:

http://эссе.рф - сборник не проиндексированных рефератов. Поиск по рубрикам и теме. Большинство текстов бесплатные. Магазин готовых работ.